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PDTA123EM	文件：102.48 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA123EM	文件：189.73 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA123EM	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTA123EM	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTA123EM	文件：421.92 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTA123EMB	文件：836.02 Kbytes Page：13 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC123EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PDTA123EK T/R
功能描述：
開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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