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PDTA123EMB

PNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC123EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA123ES

PNPresistor-equippedtransistors

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA123ES

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA123ES

NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA123ET

PNPresistor-equippedtransistors

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA123ET

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA123ET

PNPresistor-equippedtransistor

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA123ET

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PDTA123EM T/R

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多PDTA123EM T/R供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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