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PD85035STR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD85035STR-E
廠商型號

PD85035STR-E
參數(shù)屬性

PD85035STR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
功能描述

RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
封裝外殼

PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）
文件大小

384.36 Kbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 18:30:00
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PD85035STR-E規(guī)格書詳情

PD85035STR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD85035STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    PD85035STR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    870MHz

  • 增益：

    17dB

  • 額定電流（安培）：

    8A

  • 功率 - 輸出：

    15W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PowerSO-10RF（直引線）

  • 描述：

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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