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PD85035C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD85035C
廠商型號(hào)

PD85035C

參數(shù)屬性

PD85035C 封裝/外殼為M243;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 40V 945MHZ M243

功能描述

RF power transistor - LdmoST family
FET RF 40V 945MHZ M243

封裝外殼

M243

文件大小

242.62 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 20:00:00

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PD85035C規(guī)格書詳情

PD85035C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD85035C晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PD85035C is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD85035C boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology. PD85035C’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.

Features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ POUT = 35 W with 14.5 dB gain @ 945 MHz / 13.6 V

■ BeO-free ceramic package

■ ESD protection

■ In compliance with the 2002/95/EC european directive

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PD85035C

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 額定電流(安培):

    8A

  • 功率 - 輸出:

    15W

  • 封裝/外殼:

    M243

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M243

  • 描述:

    FET RF 40V 945MHZ M243

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
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NA/
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ST/意法半導(dǎo)體
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