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PD57006TR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD57006TR-E
廠商型號

PD57006TR-E

參數(shù)屬性

PD57006TR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線);包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10

功能描述

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
TRANSISTOR RF POWERSO-10

封裝外殼

PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)

文件大小

512.2 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 20:00:00

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PD57006TR-E規(guī)格書詳情

PD57006TR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD57006TR-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD57006TR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    15dB

  • 額定電流(安培):

    1A

  • 功率 - 輸出:

    6W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerSO-10RF(成形引線)

  • 描述:

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

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