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PD57006TR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PD57006TR-E |
參數(shù)屬性 | PD57006TR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線);包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線) |
文件大小 |
512.2 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
22 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-6 20:00:00 |
人工找貨 | PD57006TR-E價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PD57006TR-E規(guī)格書詳情
PD57006TR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD57006TR-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PD57006TR-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
945MHz
- 增益:
15dB
- 額定電流(安培):
1A
- 功率 - 輸出:
6W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)
- 供應(yīng)商器件封裝:
PowerSO-10RF(成形引線)
- 描述:
TRANSISTOR RF POWERSO-10
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
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STM |
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ST |
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PowerSO-10RF |
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STM |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
23+ |
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PowerSO-10RF |
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