PD57006TR-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):PD57006TR-E品牌:STMicroelectronics

資料說明:TRANSISTOR RF POWERSO-10

PD57006TR-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)的PD57006TR-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    pd57006tr-e

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

  • 資料說明:

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PD57006TR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    15dB

  • 額定電流(安培):

    1A

  • 功率 - 輸出:

    6W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerSO-10RF(成形引線)

  • 描述:

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
STM
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STM
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PowerSO-10RF (Formed Lead)
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STM
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PowerSO-10RF (Formed Lead)
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原裝現(xiàn)貨支持送檢
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STMicro.
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PowerSO-10RF
7750
全新原裝優(yōu)勢
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ST/意法
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POWERSO-10RF
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ST/意法
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POWERSO-10RF
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全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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TO-59
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ST/意法
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