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PBSS306NZ-Q中文資料安世數據手冊PDF規(guī)格書

PBSS306NZ-Q
廠商型號

PBSS306NZ-Q

功能描述

100 V, 5.1 A NPN low VCEsat transistor

絲印標識

S306NZ

封裝外殼

SOT223

文件大小

294.41 Kbytes

頁面數量

14

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-10 11:18:00

PBSS306NZ-Q規(guī)格書詳情

1. General description

NPN low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

PNP complement: PBSS306PZ-Q

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain (hFE) at high IC

? High efficiency due to less heat generation

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? High-voltage DC-to-DC conversion

? High-voltage MOSFET gate driving

? High-voltage motor control

? High-voltage power switches (e.g. motors, fans)

? Automotive applications

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
22+
SOT-89
16800
原裝正品
詢價
NEXPERIA/安世
22+
SOT89
9600
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NEXPERIA/安世
23+
SOT-89
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NEXPERIA/安世
23+
SOT-89
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NXP/恩智浦
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SOT-89
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SOT-89
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NEXPERIA/安世
23+
SOT-89
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