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PBSS306NZ分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS306NZ
廠商型號

PBSS306NZ

參數(shù)屬性

PBSS306NZ 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 5.1A SOT223

功能描述

100 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

194.71 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-28 20:00:00

PBSS306NZ規(guī)格書詳情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS306PZ.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ High-voltage DC-to-DC conversion

■ High-voltage MOSFET gate driving

■ High-voltage motor control

■ High-voltage power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS306NZ,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 255mA,5.1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    110MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5.1A SOT223

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA/安世
23+
NA/
12663
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NXP/恩智浦
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25000
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