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PBSS301NX

12V,5.3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS301NX

12V,5.3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS301NZ

12V,5.8ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS301PZ. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICan

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS301NZ

12V,5.8ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS301PD

20V,4APNPlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS301PD

20V,4APNPlowVCEsat(BISS)transistor

1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS301ND. 1.2Features *Verylowcollector-emittersaturationresistance *Ultralowcollector-emittersaturationvoltag

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS301PX

12V,5.3APNPlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS301PX

12V,5.3APNPlowVCEsat(BISS)transistor

1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89 (SC-62/TO-243)smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS301NX. 1.2Features ..Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ..Highcollectorcur

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS301PZ

12V,5.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS301PZ

12V,5.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PBSS301ND T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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