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PBSS304NZ

60V,5.2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS304PZ. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hig

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS304NZ

60V,5.2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS304NZ-Q

60V,5.2ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS304PZ-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highcollectorc

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS304PD

LowVCEsat(BISS)transistors

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS304PD

80V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS304PD

80V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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PBSS304PX

60V,4.2APNPlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS304PX

60V,4.2APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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PBSS304PZ

60V,4.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

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PBSS304PZ

60V,4.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PBSS304NX T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多PBSS304NX T/R供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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