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首頁(yè)>NXH80B120MNQ0SNG>芯片詳情
NXH80B120MNQ0SNG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):NXH80B120MNQ0SNG品牌:onsemi
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
NXH80B120MNQ0SNG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商onsemi生產(chǎn)封裝模塊的NXH80B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
- 芯片型號(hào):
NXH80B120MNQ0SNG
- 規(guī)格書(shū):
- 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
- 廠商全稱(chēng):
ON Semiconductor
- 中文名稱(chēng):
安森美半導(dǎo)體公司
- 內(nèi)容頁(yè)數(shù):
13 頁(yè)
- 文件大小:
679.76 kb
- 資料說(shuō)明:
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
- 包裝:
托盤(pán)
- 配置:
雙路升壓斬波器
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
是
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
- 描述:
PIM POWER MODULE
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
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