NXH80B120MNQ0SNG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量	價(jià)格
1+	面議

廠家型號(hào)：
NXH80B120MNQ0SNG
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ON
庫(kù)存數(shù)量：
117
產(chǎn)品封裝：
MODULE
生產(chǎn)批號(hào)：
22+
庫(kù)存類型：
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-1-17 13:02:00

數(shù)據(jù)手冊(cè) 更多貨源

詳細(xì)信息
規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NXH80B120MNQ0SNG品牌：ON

絕對(duì)真實(shí)庫(kù)存原裝正品

NXH80B120MNQ0SNG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝MODULE/模塊的NXH80B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋；升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

芯片型號(hào)：
NXH80B120MNQ0SNG
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
13 頁(yè)
文件大?。?/span>
679.76 kb
資料說明：
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
NXH80B120MNQ0SNG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
包裝：
托盤
配置：
雙路升壓斬波器
輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻：
是
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
模塊
供應(yīng)商器件封裝：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
描述：
PIM POWER MODULE

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
趙小姐
手機(jī)：
13049883113
詢價(jià)：
電話：
0755-82815082
傳真：
0755-82815039
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟518

NXH80B120MNQ0SNG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NXH80B120MNQ0SNG

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

相關(guān)型號(hào)

相近型號(hào)