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NVD5890NT4G-VF01分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

NVD5890NT4G-VF01
廠商型號

NVD5890NT4G-VF01
參數(shù)屬性

NVD5890NT4G-VF01 包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A
功能描述

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK
NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A
文件大小

217.46 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-31 13:02:00

NVD5890NT4G-VF01規(guī)格書詳情

NVD5890NT4G-VF01屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVD5890NT4G-VF01晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? MSL 1/260°C

? AEC Q101 Qualified and PPAP Capable

? 100 Avalanche Tested

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

? Motor Drivers

? Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other High

Current Systems

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NVD5890NT4G-VF01

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 描述：

    NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON Semiconductor
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