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NVD5865NLT4G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NVD5865NLT4G
廠商型號(hào)

NVD5865NLT4G

功能描述

Power MOSFET 60 V, 46 A, 16 m, Single N??hannel

文件大小

115.31 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-7 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NVD5865NLT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8582
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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2022+
TO-252
12500
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):50A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A
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