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NTH4L023N065M3S中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTH4L023N065M3S
廠商型號

NTH4L023N065M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

文件大小

477.82 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-8 23:01:00

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NTH4L023N065M3S規(guī)格書詳情

Features

? Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)

? 100 Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

? SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storages, EV Charging

Infrastructure

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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