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NTH4L015N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Fr

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安森美半導體安森美半導體公司

NTH4L015N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Fr

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NTH4L015N065SC1

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 m, 142 A

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NTH4L015N065SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Fr

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NTH4L015N065SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Fr

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NVH4L015N065SC1

MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,TO247-4L650V,12m,142A

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供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
TO-247-4
7814
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
ON
24+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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ON
23+
原廠原封
450
訂貨1周 原裝正品
 詢價
ON/安森美
22+
24000
原裝正品現(xiàn)貨,實單可談,量大價優(yōu)
 詢價
ON
22+
NA
1056
原裝正品支持實單
 詢價
ON
23+
MOSFET
5864
原裝原標原盒 給價就出 全網(wǎng)最低
 詢價
onsemi(安森美)
2025+
TO-247-4L
55740
詢價
onsemi
21+
775
只做原裝,優(yōu)勢渠道 ,歡迎實單聯(lián)系
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onsemi
23+
TO-247-4L
1356
原廠正品現(xiàn)貨SiC MOSFET全系列
 詢價
24+
N/A
60000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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更多NTH4L015N065SC1供應商 更新時間2025-7-25 10:24:00

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