訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>NTD30N02T4>芯片詳情
NTD30N02T4_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET N-CH 24V 30A DPAK和潤天下電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NTD30N02T4
- 功能描述:
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳和潤天下電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
彭先生
- 手機:
19129491930
- 詢價:
- 電話:
0755-83798281
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北 華強廣場D棟18層18B
相近型號
- NTD3055VLT4G
- NTD30X7R1E106M
- NTD3055VLT4
- NTD30X7R1E685M
- NTD30X7R1H335M
- NTD3055VL
- NTD30X7R1H475M
- NTD3055V
- NTD30X7R2A155M
- NTD30X7R2A225M
- NTD3101
- NTD3055LT4G
- NTD31X7R1E156M
- NTD3055LT4
- NTD31X7R1E226M
- NTD31X7R1H106M
- NTD31X7R1H685M
- NTD3055L170T4G-VB
- NTD31X7R2A335M
- NTD3055L-170T4G
- NTD31X7R2A475M
- NTD3055L170T4G
- NTD32N06
- NTD3055L170T4
- NTD32N06001
- NTD3055L170-HXY
- NTD32N06-001
- NTD3055L170G
- NTD32N06-1
- NTD3055L170-1-LF
- NTD32N061G
- NTD3055L170-1G
- NTD32N06-1G
- NTD3055L1701G
- NTD32N06G
- NTD3055L170-1
- NTD3055L1701
- NTD32N06L
- NTD3055L170-001
- NTD32N06L001
- NTD3055L170001
- NTD32N06L-001
- NTD3055L170
- NTD32N06L-1
- NTD3055L104-VB
- NTD32N06L1G
- NTD3055L104T4-LF
- NTD32N06L-1G
- NTD32N06LG
- NTD3055L104T4G-VB