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MJD2955T4G	文件：184.12 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“?1”Suff	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTD2955T4G	文件：912.3 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
NTD2955T4G	文件：112.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET??0V,??2A,P??hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTD2955T4G	文件：985.58 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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NVD2955T4G	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P??hannelDPAK PowerMOSFET?60V,?12A,P?ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow?voltage,high?speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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