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MJD2955T4

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955T4

包裝:剪切帶(CT) 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955T4

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

MJD2955T4G

Complementary Power Transistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“?1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955T4G

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955T4G

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955T4G

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955T4G

包裝:剪切帶(CT)帶盒(TB) 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NJVMJD2955T4G

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“?1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NJVMJD2955T4G

ComplementaryPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD2955T4

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD2955T4G

PowerMOSFET??0V,??2A,P??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD2955T4G

-60VP-ChannelMOSFET

Features AvalancheEnergySpecified IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature DesignedforLow?Voltage,High?SpeedSwitchingApplicationsand toWithstandHighEnergyintheAvalancheandCommutationModes RDS(on)150m?(VGS=-10V) VDS(V)=-60V ID=-12A(VGS=-10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

NTD2955T4G

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

NTD2955T4G

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

NTD2955T4G

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD2955T4G

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD2955T4G

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD2955T4G

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD2955T4G

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD2955T4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.1V @ 400mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價
ON/ONSemiconductor/安森
24+
TO-252
8000
新進庫存/原裝
詢價
ST
06+
?TO-252
1000
全新原裝 絕對有貨
詢價
STM
12+
DPAK(TO-252)
5000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
詢價
ON
23+
TO-252
5000
原裝正品,假一罰十
詢價
MOTOROLA
24+
SOT-252
2560
絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣!
詢價
MOTOROLA
24+
SOT-252
1800
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
ST
2016+
TO-252
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
詢價
STMicro.
23+
DPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢
詢價
ON
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價
更多MJD2955T4供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 16:39:00