NSVF6003SB6T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量	價(jià)格
1+	0.088

廠家型號(hào)：
NSVF6003SB6T1G
產(chǎn)品分類(lèi)：
芯片
生產(chǎn)廠商：
onsemi
庫(kù)存數(shù)量：
30000
產(chǎn)品封裝：
SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫(kù)存類(lèi)型：
熱賣(mài)庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-1-29 14:14:00

數(shù)據(jù)手冊(cè) 更多貨源

詳細(xì)信息
規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NSVF6003SB6T1G品牌：onsemi

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

NSVF6003SB6T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6/SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6的NSVF6003SB6T1G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號(hào)：
NSVF6003SB6T1G
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱(chēng)：
ON Semiconductor
中文名稱(chēng)：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
6 頁(yè)
文件大?。?/span>
690.05 kb
資料說(shuō)明：
RF Transistor

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
NSVF6003SB6T1G
制造商：
onsemi
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
系列：
Automotive, AEC-Q101
包裝：
托盤(pán)
晶體管類(lèi)型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
頻率 - 躍遷：
7GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
3dB @ 1GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
800mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
150mA
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：
6-CPH
描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH

供應(yīng)商

企業(yè)：
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機(jī)：
13128990370
詢(xún)價(jià)：
電話(huà)：
13128990370/微信同號(hào)
傳真：
原裝正品
地址：
深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

NSVF6003SB6T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NSVF6003SB6T1G

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

相關(guān)型號(hào)

相近型號(hào)