NSS35200CF8T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠料號：NSS35200CF8T1G品牌：ONSEMI/安森美

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NSS35200CF8T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商ONSEMI/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝1206-8/8-SMD，扁平引線的NSS35200CF8T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

• 芯片型號：

  NSS35200CF8T1G

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡稱：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  ON Semiconductor

• 中文名稱：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  6 頁

• 文件大小：

  66.9 kb

• 資料說明：

  35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor