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NSBA114EF3T5G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

NSBA114EF3T5G
廠商型號(hào)

NSBA114EF3T5G

參數(shù)屬性

NSBA114EF3T5G 封裝/外殼為SOT-1123;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

功能描述

Digital Transistors (BRT)
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

文件大小

108.63 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 15:56:00

NSBA114EF3T5G規(guī)格書詳情

NSBA114EF3T5G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NSBA114EF3T5G晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項(xiàng)目成本。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NSBA114EF3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 300μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-1123

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-1123

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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