首頁>NSBA114EF3T5G>芯片詳情

NSBA114EF3T5G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 ONSEMI/安森美半導體

NSBA114EF3T5GNSBA114EF3T5G參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NSBA114EF3T5G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi

  • 庫存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-1123

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2025-1-11 17:34:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NSBA114EF3T5G品牌：onsemi

晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品

NSBA114EF3T5G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商onsemi生產(chǎn)封裝SOT-1123的NSBA114EF3T5G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    NSBA114EF3T5G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大?。?/span>

    184.73 kb

  • 資料說明：

    Digital Transistors (BRT)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NSBA114EF3T5G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    35 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-1123

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-1123

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機：

    13128990370

  • 詢價：
  • 電話：

    13128990370/微信同號

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

相近型號