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NGTB15N60EG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB15N60EG
廠商型號(hào)

NGTB15N60EG

參數(shù)屬性

NGTB15N60EG 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 30A 117W TO220-3

功能描述

IGBT - Short-Circuit Rated
IGBT 600V 30A 117W TO220-3

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

177.94 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-12 23:00:00

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NGTB15N60EG規(guī)格書詳情

NGTB15N60EG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB15N60EG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB15N60EG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    900μJ(開),300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    78ns/130ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,15A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 30A 117W TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
24+
TO2203 整包
7350
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ON/安森美
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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ON/安森美
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TO-220
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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ON/原盒原包裝
15+
TO-220
81000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ON Semiconductor
22+
TO220
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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TO-220F
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