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NGD8201NT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGD8201NT4G
廠商型號(hào)

NGD8201NT4G
參數(shù)屬性

NGD8201NT4G 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK
功能描述

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK
IGBT 440V 20A 125W DPAK
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

125.66 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-11 23:00:00

NGD8201NT4G規(guī)格書詳情

NGD8201NT4G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGD8201NT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGD8201NT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 4.5V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    -/5μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，9A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 440V 20A 125W DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
23+
NA/
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
NA/
4386
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
 詢價(jià)
ON
2016+
TO252
19776
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
ON
2020+
SOT-252
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價(jià)
ON
18+
SOT-252
289
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
ON Semiconductor
22+
DPAK3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ON
23+
TO252
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
PTIF
2310+
SOP/DIP
3699
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
 詢價(jià)
PTIF
1501160001
35
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)

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