NGD8201N分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGD8201N |
| 參數(shù)屬性 | NGD8201N 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT |
| 文件大小 |
110.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-8 9:08:00 |
NGD8201N規(guī)格書詳情
NGD8201N屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NGD8201N晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGD8201NT4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時 Td（開/關）值：
-/5μs
- 測試條件：
300V，9A，1 千歐，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
17321 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價 | |||
ON |
22+ |
TO252 |
28600 |
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到現(xiàn)貨 原廠一手貨源 價格秒殺代理! |
詢價 | ||
ON |
23+ |
SOT252 |
3000 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
10526 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
3000 |
原裝正品假一罰百!可開增票! |
詢價 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON |
2339+ |
NA |
5825 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | ||
ONN |
2021++ |
365 |
絕對進口原裝,現(xiàn)貨熱銷 |
詢價 |
