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NGD8201NT4

Ignition IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD8201NT4

Ignition IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD8201NT4

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 440V 20A 125W DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD8201NT4G

Ignition IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD8201NT4G

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD8201NT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 440V 20A 125W DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NGD8201NT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4.5V,20A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/5μs

  • 測試條件:

    300V,9A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 440V 20A 125W DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
24+
TO-252
10000
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價
ON/安森美
2024
TO-252
505348
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
詢價
ON
24+
SOT-252
1860
詢價
ON
23+
DPAK4LEADSin
8148
全新原裝
詢價
ON
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價
ON?
24+
SOT-252?
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!
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ON/安森美
23+
SOT-252
24190
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
ON
08+
TO-252
10000
普通
詢價
ON/安森美
21+
SOT-252
30000
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成 可13點增值稅
詢價
更多NGD8201NT4供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 16:36:00