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NGD15N41CLT4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGD15N41CLT4
廠商型號

NGD15N41CLT4

參數(shù)屬性

NGD15N41CLT4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 440V 15A 107W DPAK

功能描述

Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
IGBT 440V 15A 107W DPAK

文件大小

94.95 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-8 11:56:00

NGD15N41CLT4規(guī)格書詳情

NGD15N41CLT4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGD15N41CLT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NGD15N41CLT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 4V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/4μs

  • 測試條件:

    300V,6.5A,1 千歐

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 440V 15A 107W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
23+
TO-252
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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ON
6000
面議
19
DIP/SMD
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ON
2016+
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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ON/安森美
23+
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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ON
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NA
30000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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ON
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TO252
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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ON/安森美
22+
SOT-252
20000
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ON/安森美
2024
TO-252
505348
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
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ON/安森美
23+
SOT-252
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