NGD15N41CLT4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGD15N41CLT4參考圖片

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):NGD15N41CLT4品牌:ON

DIP/SMD

NGD15N41CLT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝面議/TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63的NGD15N41CLT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    NGD15N41CLT4

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    167.57 kb

  • 資料說明:

    Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGD15N41CLT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 4V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/4μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,6.5A,1 千歐

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 440V 15A 107W DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市近平電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    朱R/朱S

  • 手機(jī):

    18902447508

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-29050225/81483445

  • 傳真:

    86-0755-81483445

  • 地址:

    深圳福田區(qū)振興西路華康大廈2棟