NGB18N40CLB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):NGB18N40CLB品牌:ON/安森美

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NGB18N40CLB是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-263/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的NGB18N40CLB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    NGB18N40CLB

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    126.96 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGB18N40CLBT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 4V,15A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 430V 18A 115W D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    朱小姐

  • 手機(jī):

    18126328660

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82767689

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503