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NE3512S02-T1D-A_RENESAS/瑞薩_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET高捷芯城電子

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    NE3512S02-T1D-A

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    Renesas(瑞薩)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7768

  • 產(chǎn)品封裝：

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    熱賣(mài)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-13 17:05:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：NE3512S02-T1D-A品牌：Renesas(瑞薩)

支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。

  • 芯片型號(hào)：

    NE3512S02-T1D-A

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    CEL詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    270.66 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NE3512S02-T1D-A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類(lèi)型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    傅小姐

  • 手機(jī)：

    13378407305

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83062789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華富路1006號(hào)航都大廈10層

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