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NE3508M04-T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3508M04-T2
廠商型號

NE3508M04-T2

參數(shù)屬性

NE3508M04-T2 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR
FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

封裝外殼

SOT-343F

文件大小

1.2932 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-18 10:46:00

NE3508M04-T2規(guī)格書詳情

NE3508M04-T2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3508M04-T2晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE3508M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    14dB

  • 額定電流(安培):

    120mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.45dB

  • 功率 - 輸出:

    18dBm

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    F4TSMM,M04

  • 描述:

    FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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