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NE3508M04-T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NE3508M04-T2 |
參數(shù)屬性 | NE3508M04-T2 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM |
功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
封裝外殼 | SOT-343F |
文件大小 |
1.2932 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-18 10:46:00 |
NE3508M04-T2規(guī)格書詳情
NE3508M04-T2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3508M04-T2晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NE3508M04-T2-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
HFET
- 頻率:
2GHz
- 增益:
14dB
- 額定電流(安培):
120mA
- 噪聲系數(shù):
0.45dB
- 功率 - 輸出:
18dBm
- 封裝/外殼:
SOT-343F
- 供應(yīng)商器件封裝:
F4TSMM,M04
- 描述:
FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
原裝RENESAS |
1742+ |
SOT343 |
98215 |
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Renesas(瑞薩) |
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NA |
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SOT-343 |
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RENESAS/瑞薩 |
14+ |
SOT-343 |
17 |
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