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NCE01P30I

Marking：NCE01P30I；Package：TO-251；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE01P30Iusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications.ItisESDprotested. GeneralFeatures ●VDS=-100V,ID=-30A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多NCE01P30I供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-25 13:38:00

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