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首頁(yè)>NAND512W3A2BN6>芯片詳情
NAND512W3A2BN6 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):NAND512W3A2BN6品牌:ST/意法
只做全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
NAND512W3A2BN6是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TSSOP-48/48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)的NAND512W3A2BN6存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。
- 芯片型號(hào):
NAND512W3A2BN6
- 規(guī)格書(shū):
- 企業(yè)簡(jiǎn)稱:
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情
- 廠商全稱:
STMicroelectronics
- 中文名稱:
意法半導(dǎo)體集團(tuán)
- 內(nèi)容頁(yè)數(shù):
57 頁(yè)
- 文件大小:
916.59 kb
- 資料說(shuō)明:
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 型號(hào)
:NAND512W3A2BN6
- 存儲(chǔ)器格式
:閃存
- 技術(shù)
:FLASH - NAND
- 存儲(chǔ)容量
:512Mb (64M x 8)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè)
:50ns
- 訪問(wèn)時(shí)間
:50ns
- 存儲(chǔ)器接口
:并聯(lián)
- 電壓 - 電源
:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作溫度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型
:表面貼裝
- 封裝/外殼
:48-TFSOP(0.724\,18.40mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝
:48-TSOP
供應(yīng)商
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