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NAND08GW3B2A	文件：501.64 Kbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
NAND08GW3B2A	文件：1.1207 Mbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND08GW3B2AN1E	文件：501.64 Kbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
NAND08GW3B2AN1E	文件：1.1207 Mbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND08GW3B2AN1F	文件：501.64 Kbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
NAND08GW3B2AN1F	文件：1.1207 Mbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND08GW3B2AN6E	文件：501.64 Kbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
NAND08GW3B2AN6E	文件：1.1207 Mbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND08GW3B2AN6F	文件：501.64 Kbytes Page：58 Pages	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
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詳細參數(shù)

型號：
NAND08GW3B2A
功能描述：
閃存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
數(shù)據(jù)總線寬度：
1 bit
存儲類型：
Flash
存儲容量：
2 MB
結構：
256 K x 8
接口類型：
SPI
電源電壓-最大：
3.6 V
電源電壓-最?。?/span>
2.3 V
最大工作電流：
15 mA
工作溫度：
- 40 C to + 85 C
安裝風格：
SMD/SMT
封裝：
Reel

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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