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NAND08GW3B2AN6F中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NAND08GW3B2AN6F
廠商型號(hào)

NAND08GW3B2AN6F

功能描述

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

文件大小

501.64 Kbytes

頁面數(shù)量

58

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-21 11:10:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NAND08GW3B2AN6F

  • 功能描述:

    閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    1 bit

  • 存儲(chǔ)類型:

    Flash

  • 存儲(chǔ)容量:

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu):

    256 K x 8

  • 接口類型:

    SPI

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.3 V

  • 最大工作電流:

    15 mA

  • 工作溫度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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