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NAND02GW3B2DZA6_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_IC FLASH 2GBIT 63VFBGA匯萊威一部

NAND02GW3B2DZA6

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  • 廠家型號(hào)：

    NAND02GW3B2DZA6

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    23000

  • 產(chǎn)品封裝：

    BGA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-25 17:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NAND02GW3B2DZA6品牌：ST

免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系

  • 芯片型號(hào)：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    NUMONYX詳情

  • 廠商全稱：

    numonyx

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    69 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1810.88 kb

  • 資料說明：

    2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NAND02GW3B2DZA6

  • 功能描述：

    IC FLASH 2GBIT 63VFBGA

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品變化通告：

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    136

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲(chǔ)器：

    RAM

  • 存儲(chǔ)器類型：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲(chǔ)容量：

    18M（1M x 18）

  • 速度：

    200MHz

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    71P71804S200BQ

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82767689

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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