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NAND02GW3B2D

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NUMONYX

NAND02GW3B2DN6E

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NUMONYX

NAND02GW3B2DN6E

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

NAND02GW3B2DN6F

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NUMONYX

NAND02GW3B2DZA6E

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NUMONYX

NAND02GW3B2DZA6E

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

NAND02GW3B2DZA6F

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NUMONYX

NAND02GW3B2DN6E

Package:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

ELPIDA

NAND02GW3B2DZA6E

Package:63-TFBGA;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

ELPIDA

技術(shù)參數(shù)

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND

  • 存儲容量:

    2Gb (256M x 8)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 訪問時間:

    25ns

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 電源:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724\,18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TSOP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DT
18+
TSOP
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價
ST
13+/14+
TSOP48
10000
全新原裝
詢價
NUM
24+
30
詢價
Numonyx
13+
BGA63
8973
原裝分銷
詢價
NUMONYX
17+
TSSOP
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
詢價
2304
24+
TSOP48
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
詢價
ST
2020+
TSOP
460
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
詢價
ST
2016+
BGA
6000
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
詢價
ST
23+
NA
20
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價代理特價,原裝元器件供應(yīng),支持開發(fā)樣品
詢價
NUMONYX
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
詢價
更多NAND02GW3B2D供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 15:13:00