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NAND02GW3B2D集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

NAND02GW3B2D
廠商型號

NAND02GW3B2D
參數(shù)屬性

NAND02GW3B2D 封裝/外殼為63-TFBGA；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
功能描述

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories
封裝外殼

63-TFBGA
文件大小

1.81088 Mbytes
頁面數(shù)量

69 頁
生產(chǎn)廠商 numonyx
企業(yè)簡稱

NUMONYX

中文名稱

numonyx官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-6-9 22:58:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    2Gb（256M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-VFBGA（9.5x12）

  • 描述：

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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