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NAND01GW3B2CN6E 集成電路(IC)存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導體
- 詳細信息
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產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NAND01GW3B2CN6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲容量:
1Gb(128M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
25ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
- 供應商器件封裝:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
供應商
相近型號
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