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Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features| VDS=20V| .RDS(ON)=300ma(typ)@VGS=25V .RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V ?ESDProtectedupto2KV| | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VDS=20V +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V +RDS(ON)=250mQ(typ.)@VGS=4.5V +ESDProtectedupto2KV | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV. | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
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