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PNM3FD201E0

Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features| VDS=20V| .RDS(ON)=300ma(typ)@VGS=25V .RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V ?ESDProtectedupto2KV|

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臺舟電子臺舟電子股份有限公司

RV2C010UN

Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VDS=20V +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V +RDS(ON)=250mQ(typ.)@VGS=4.5V +ESDProtectedupto2KV

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臺舟電子臺舟電子股份有限公司

SI3134KLA-TP

Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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SSM3K35CTC

Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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TPWNM2072-3SLASHTR

Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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WNM2046

Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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WNM2096

Marking:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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