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MTP20010D	文件：641.08 Kbytes Page：3 Pages	Three-Phase Bridge Rectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
MUR20010CT	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,200A Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR20010CT	文件：135.46 Kbytes Page：3 Pages	200AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features ?HighSurgeCapability ?LowLeakage ?LowForwardVoltageDrop ?HighCurrentCapability ?SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MUR20010CT	文件：405.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR20010CT	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MUR20010CTR	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MUR20010CTR	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MURT20010	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT20010	文件：730.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：360.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010R	文件：730.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010R	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT20010R	文件：360.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MV20010	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PD20010-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MTP-2005	OKITA	24+		1160	全新原裝	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	MTP2010J3	CYSTECH/全宇昕	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市君億電子科技有限公司	MTP2010J3	CYSTECH/全宇昕	22+	TO-252	8700	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	MTP2010J3	CYSTECH/全宇昕	17+	TO-252	10000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
海芯未來(lái)半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	MTP2010J3	SILICON	24+	QFN	8004		詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	MTP2010J3	CYSTECH/全宇昕	23+	原裝正品現(xiàn)貨	10000	TO-252	詢價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	MTP2010J3-0-T3-G	CYSTECH	22+	T0-252	28600	只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級(jí)代理	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MTP2010J3-0-T3-G	CYSTECH/全宇昕	23+	T0-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	MTP2010J3-0-T3-G	CYSTECH/全宇昕	2022	T0-252	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	MTP2010J3-0-T3-G	CYSTECH/全宇昕	22+	T0-252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)

更多MTP20010D供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 15:30:00

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