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MURT20010R

Silicon Super Fast Recovery Diode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010R

HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURT20010R

Silicon Super Fast Recovery Diode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010R

Package：三塔；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MV20010

GaAsVaractorDiodesAbruptJunction

Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

PD20010-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

PD20010S-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

PD20010STR-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

PD20010TR-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

PNE20010ER

200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MURT20010R

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管配置：

    1 對共陽極

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    100A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    三塔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    三塔

  • 描述：

    DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
GeneSiC
1935+
N/A
55
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GENESIC
1809+
三塔
96
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22+
NA
55
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GeneSiC Semiconductor
22+
Three Tower
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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GeneSiC Semiconductor
24+
三塔
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IXFN
23+
標準封裝
5000
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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IXFN
2023+
module
48000
AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
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DACO
2020+
MODULE
350000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
DACO
23+
MODULE
1000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多MURT20010R供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 10:18:00

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