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MTB20N06KFP

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTD20N06

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20N06HD

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewith

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20N06HD

PowerMOSFET20Amps,60VoltsN??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N06HDL

PowerMOSFET20Amps,60Volts,LogicLevelN??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N06HDL

TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

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MTD20N06V

N??hannelDPAK

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MTD20N06V

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50

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MTP20N06

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju

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MTP20N06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多MTB20N06KFP供應(yīng)商 更新時間2025-2-20 10:02:00

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