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MSN2013K

200V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司

NCE2013J

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE2013Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=13A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NTE2013

IntegratedCircuit7-ChannelDarlingtonArray/Driver

Description: TheNTE2011throughNTE2015arehigh–voltage,high–currentDarlingtonarraysina16–LeadDIPtypepackageandarecomprisedofsevensiliconNPNDarlingtonpairsonacommonmonolithicsubstrate.Allunitshaveopen–collectoroutputsandintegraldiodesforinductiveloadtransie

NTE

NTE Electronics

OVEROL-KD-YY2013

OVEROLDEPROTECCIONMEDICADESECHABLE

Descripción:OVEROLDEPROTECCIONMEDICADESECHABLE EquipodeProtecciónPersonal(EPP)quereduceelriesgopotencialdecontaminacióndemédicos,enfermerasypersonaltécnicoeneltratocercanoconpacientesespecialmentedeenfermedadescontagiosas.

AGELECTRONICA

AG Electronica

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