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NCE2013J中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE2013J
廠商型號

NCE2013J

功能描述

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

NCE2013J

封裝外殼

DFN2X2-6L

文件大小

696.03 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-20 23:00:00

NCE2013J規(guī)格書詳情

Description

The NCE2013J uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages .This device is suitable for use as a load switching

application and a wide variety of other applications.

General Features

● VDS = 20V,ID = 13A

RDS(ON) = 8.8mΩ @ VGS=4.5V (Typ)

RDS(ON) = 11.5mΩ @ VGS=2.5V (Typ)

● Advanced trench MOSFET process technology

● Ultra low on-resistance with low gate charge

Application

● PWM applications

● Load switch

● Battery charge in cellular handset

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NCE/新潔能
23+
NA/
16853
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NCE/新潔能
23+
SOP-8
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NCE/新潔能
24+
SOP-8
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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NCE新潔能
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SOP-8
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NCE/新潔能
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NCE/新潔能
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鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
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NCE/新潔能
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SOP-8
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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