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MRFE6P3300HR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

860MHz,300W,32VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom470to860MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicationsin32voltana

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6P3300HR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6P3300HR3

Package：NI-860C3；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 66V 863MHZ NI-860C3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFE6P3300HR3_09

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P3300HR3

RFPowerFieldEffectTransistor

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MRF6P3300HR3

RFPowerFieldEffectTransistor(N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET)

470-860MHz,300W,32VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom470to860MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicationsin32vol

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRFE6P3300HR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類(lèi)型：

    LDMOS

  • 頻率：

    857MHz ~ 863MHz

  • 增益：

    20.4dB

  • 功率 - 輸出：

    270W

  • 封裝/外殼：

    NI-860C3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-860C3

  • 描述：

    FET RF 66V 863MHZ NI-860C3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
 詢(xún)價(jià)
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23+
1688
房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633
 詢(xún)價(jià)
Freescale
2024+
NI-860C3
32560
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨
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23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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24+
SMD
1680
FREESCALE專(zhuān)營(yíng)品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢(xún)價(jià)
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24+
290
現(xiàn)貨供應(yīng)
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TO-62
1200
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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1809+
NI-860
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更多MRFE6P3300HR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-16 16:04:00

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