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MRFE6S9060NR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

880MHz,14WAVG.,28VSINGLEN-CDMALATERALN-CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapp

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6S9060NR1

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFE6S9060NR1

Package:TO-270AA;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 66V 880MHZ TO270-2

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6S9060NR1

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicatio

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S9060NR1

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFE6S9060NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    21.1dB

  • 功率 - 輸出:

    14W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270-2

  • 描述:

    FET RF 66V 880MHZ TO270-2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCAL
11+
TO270-2
1021
原裝原包現(xiàn)貨實需詳談 RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)模式橫向MOSFET專為頻率高達(dá)1000 MHz的寬帶商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用。高增益和本設(shè)備的寬帶性能使其非常適用于大型 - 信號,共同 - 在28伏基站設(shè)備源放大器應(yīng)用。 •典型的單載波N - CDMA性能@ 880 MHz的, VDD = 28伏特,
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NXP(恩智浦)
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只做原裝現(xiàn)貨假一罰十!價格最低!只賣原裝現(xiàn)貨
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NXP USA Inc.
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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TO270-2
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FREESCALE
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多MRFE6S9060NR1供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 13:40:00