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MRF9060NR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateral MOSFETsDesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF9060NR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF9060NR1

Package：TO-270AA；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 945MHZ TO270-2

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF9060NR1

Package：TO-270AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 945MHZ TO270-2

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF9060NR1_09

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF9060NR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    945MHz

  • 增益：

    18dB

  • 功率 - 輸出：

    60W

  • 封裝/外殼：

    TO-270AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-270-2

  • 描述：

    FET RF 65V 945MHZ TO270-2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF9060NR1供應(yīng)商 更新時間2022-6-12 10:12:00

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