首頁 >MRF7S35120HSR3>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

MRF7S35120HSR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

3100-3500MHz,120WPEAK,32VPULSEDLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET Designedforpulsedwidebandapplicationsoperatingatfrequenciesbetween3100and3500MHz. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=32Volts,IDQ=150mA,Pout=120WattsPeak(24WattsAvg.),PulsedSignal,f=3500MHz,P

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S35120HSR3

RF Power Field Effect Transistor

Designedforpulsedwidebandapplicationsoperatingatfrequenciesbetween3100and3500MHz. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=32Volts,IDQ=150mA, Pout=120WattsPeak(24WattsAvg.),PulsedSignal,f=3500MHz, PulseWidth=100μsec,DutyCycle=20 PowerGain?12dB DrainEffi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF7S35120HSR3

Package：NI-780S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF7S35120HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    3.1GHz ~ 3.5GHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 輸出：

    120W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S

  • 描述：

    FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價
FREESCALE
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
FREESCALE
24+
SMD
1680
FREESCALE專營品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
NXP
22+
NI780S
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Freescale
NA
5500
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價
NXP USA Inc.
2022+
NI-780S
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
NXP
23+
NI780S
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
FRS
24+
2
詢價
MOTOROLA
23+
高頻管
155
專營高頻管模塊,全新原裝!
 詢價
MOT
22+
高頻管
350
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！
 詢價
更多MRF7S35120HSR3供應(yīng)商 更新時間2025-3-10 16:04:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多